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"Nach der Teilnahme an den Modulveranstaltungen ist der Studierende in der Lage, folgende Themenbereiche zu verstehen und mit technischer Zielsetzung zu bearbeiten: Entwurf von Operationsverstärkern, Zusammenhang zwischen Transistortechnologie und Schaltungsentwurf, Kombination von symbolischer und simulativer Schaltungsanalyse zum Schaltungsentwurf sowie Eigenschaften von CMOS-Grundschaltungen."

Elemente des CMOS-Prozesses, Transistormodellierung, CMOS-Grundschaltungen, Rückkopplungsarten, Dynamische Analyse der Grundschaltungen, Stabilitätsanalyse und Kompensation, Entwurf von zweistufigen Operationsverstärkern

Solid-State and Semiconductor Device Physics, Analog and Mixed-Signal Electronics Übungen und Simulationsaufgaben zum Selbststudium werden wöchentlich angeboten und in einer separaten Sitzung besprochen. Es wird eine Schaltungssimulationssoftware eingesetzt, um ein besseres Verständnis der Interaktion zwischen theoretischer Modellierung und dem Verhalten von Schaltungen für praktische Anwendungen zu erreichen."

"Im Kurs werden die Konzepte und die Theorie in wöchentlichen Vorlesungen mit einer Fragerunde zu Beginn jeder Vorlesung behandelt. Übungen und Simulationsaufgaben zum Selbststudium werden wöchentlich angeboten und in einer separaten Sitzung besprochen. Es wird eine Schaltungssimulationssoftware eingesetzt, um ein besseres Verständnis der Interaktion zwischen theoretischer Modellierung und dem Verhalten von Schaltungen für praktische Anwendungen zu erreichen."

Das Modul wird als Vorlesung mit Übung und Schaltungssimulationspraktikum angeboten. In einer mündlichen Prüfung demonstrieren die Studierenden, dass sie sowohl die Grundlagen der elektrischen Eigenschaften der Bauelemente eines CMOS Prozesses und als auch die Schaltungseigenschaften von CMOS basierten Grundschaltungen verstanden haben, und damit eine einfache Verstärkerschaltung selbständig aufbauen können.

"K. Laker and W. Sansen, Design of Analog Integrated Circuits and Systems, McGraw Hill, 1994 Y. Tsividis, Operation and Modeling of the MOS Transistor, McGraw Hill, 1999"