Analoge Bipolartechnik: Bauelemente, Simulation und Schaltungen
Vortragende/r (Mitwirkende/r) |
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Nummer | 0240183590 |
Art | Vorlesung |
Umfang | 2 SWS |
Semester | Sommersemester 2023 |
Unterrichtssprache | Englisch |
Stellung in Studienplänen | Siehe TUMonline |
Termine | Siehe TUMonline |
Teilnahmekriterien
Lernziele
Die Studierenden sind in der Lage, Bipolar-Technologie, Bauelemente und Schaltungen für höchste Frequenzen entsprechend dem aktuellen Stand der Technik zu beschreiben, zu analysieren und in einfachen Ausführungen zu entwickeln.
Beschreibung
Aufbau und Charakterisierung von Si-Bipolartransistoren (BJT) und SiGe-Heterobipolartransistoren (HBT) (Grenzfrequenzen, Rauschverhalten), Bauelementeparameter für die Schaltungssimulation, Grundlagen der Bipolarschaltungstechnik (Differenzverstärker, Referenzspannungsquellen, transliniare Schaltungen), schnelle Analog und Digitalschaltungen (Verstärker, Oszillatoren, Multiplizierer, Frequenzteiler).
Inhaltliche Voraussetzungen
Grundlagen der analogen Schaltungstechnik und der elektronischen Bauelemente