The following table below gives a list of 397 patents and patent applications. The list can be downloaded here
| Number | Publication Number | Publication Date | Inventors | Title |
| 397 | KR101965459 (B1) | 3.4.2019 | LEE SANG HYUN [KR]; DUNGA MOHAN [IN]; HIGASHITANI MASAAKI [JP]; PHAM TUAN [US]; KREUPL FRANZ [DE] | P-/ P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT |
| 396 | KR201783499 (B1) | 29.09.2017 | KREUPL FRANZ [DE]; PING ER XUAN [US]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] | MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 395 | EP000002583322B1 | 05.04.2017 | KREUPL FRANZ, US ; SHRIVASTAVA RITU, US | MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT |
| 394 | EP000002583324B1 | 05.04.2017 | FU CHU-CHEN, US; KREUPL FRANZ, US; NIAN YIBO, US | MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER |
| 393 | EP 2583323 B1 | 20.04.2016 | KREUPL FRANZ, US ; MAKALA RAGHUVEER S, US ; RABKIN PETER, US ; SAMACHISA GEORGE, US ; BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US ; CHEN YUNG-TIN, US ; FU CHU-CHEN, US ; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US ; KAI JAMES, US ; ZHANG JINGYAN, US | COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS |
| 392 | EP 2539936 B1 | 06.04.2016 | KREUPL FRANZ, DE ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US | METHODS FOR FORMING A MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER |
| 391 | CN103168372 B | 25.11.2015 | 弗朗茨·克罗伊普尔, 阿比吉特·班迪奥帕迪亚伊, 陈荣庭, 傅竹晨, 维普尔·彭西里·贾亚塞卡拉, 詹姆斯·凯, 拉古维尔·S·马卡拉, 彼得·拉布金, 乔治·萨马基沙, 张京燕 | 具有电阻开关层的存储单元的组合 |
| 390 | US 9177995 B2 | 03.11.2015 | Martin Gutsche; Franz Kreupl; Harald Seidl | Vertical interconnect structure, memory device and associated production method |
| 389 | EP 2559068 B8 | 08.07.2015 | KREUPL FRANZ, DE PING ER-XUAN, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US | MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 388 | EP 2548238 B8 | 17.06.2015 | KREUPL FRANZ, US ; MAKALA RAGHUVEER S, US ; SEKAR DEEPAK CHANDRA, US | METHOD OF FORMING BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS |
| 387 | CN 103003971 B | 03.06.2015 | FU CHU-CHEN; KREUPL FRANZ; NIAN YIBO 弗朗茨·克罗伊普尔, 付初辰, 年一波 | 具有包括击穿层的电阻开关层的存储单元[EN] Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer |
| 386 | EP 2559068 B1 | 20.05.2015 | KREUPL FRANZ, DE ; PING ER-XUAN, US ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US | MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 385 | US 9034689 B2 | 19.05.2015 | Sekar; Deepak C. (San Jose, CA), Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Rabkin; Peter (Cupertino, CA), Fu; Chu-Chen (San Ramon, CA) | Non-volatile storage with metal oxide switching element and methods for fabricating the same |
| 384 | EP 2548238 B1 | 22.04.2015 | SEKAR DEEPAK CHANDRA, US; KREUPL FRANZ, US ; MAKALA RAGHUVEER S, US | METHOD OF FORMING BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS |
| 383 | CN 102986048 B | 1.04.2015 | KREUPL FRANZ; SHRIVASTAVA RITU 弗朗茨·克罗伊普尔, 里图·什里瓦斯塔瓦 | 具有电阻开关层以及侧向布置的存储单元
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| 382 | US 8987046 B2 | 24.03.2015 | SEKAR DEEPAK C, US; KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US | [EN] Trap passivation in memory cell with metal oxide switching element |
| 381 | DE000010250830B4 | 26.02.2015 | Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael, | Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays |
| 380 | DE102007011837B4 | 29.01.2015 | FRANZ KREUPL | Integrierter Schaltkreis mit modifizierbarem Gate-Stapel-Speicherelement, Verwendung des integrierten Schaltkreises, Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, sowie Speichermodul, System und hybrides Massenspeichersystem |
| 379 | US 8912654 B2 | 16.12.2014 | KREUPL FRANZ, HEDLER HARRY | [EN] Semiconductor chip with integrated via |
| 378 | US 8772749 B2 | 08.07.2014 | KREUPL FRANZ, DE ; MAKALA RAGHUVEER S, US ; SEKAR DEEPAK CHANDRA, US | [EN] Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers |
| 377 | DE102007001130B4 | 03.07.2014 | Hedler, Harry, Irsigler, Roland, Kreupl, Franz, | Verfahren zum Herstellen einer Durchkontaktierung in einer Schicht und Anordnung mit einer Schicht mit Durchkontaktierung |
| 376 | US 8742387 B2 | 03.06.2014 | Happ; Thomas (Dresden, DE), Kreupl; Franz (Munich, DE), Philipp; Jan Boris (Munich, DE), Majewski; Petra (Munich, DE) | Resistive memory devices with improved resistive changing elements |
| 375 | US 8737111 B2 | 27.05.2014 | Kreupl; Franz (Munchen, DE), Costa; Xiying (San Jose, CA), Kai; James (Santa Clara, CA), Makala; Raghuveer S. (Sunnyvale, CA) | Memory cell with resistance-switching layers |
| 374 | KR20140052984 (A) | 07.05.2014 | LEE SANG HYUN [KR]; DUNGA MOHAN [IN]; HIGASHITANI MASAAKI [JP]; PHAM TUAN [US]; KREUPL FRANZ [DE] | P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT |
| 373 | US 8686419 B2 | 01.04.2014 | Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Sekar; Deepak C (San Jose, CA) | Structure and fabrication method for resistance-change memory cell in 3-D memory |
| 372 | US 8664657 B2 | 04.03.2014 | DUESBERG GEORG, DE ; KREUPL FRANZ, DE ; SEIDEL ROBERT, DE ; STEINLESBERGER GERNOT, DE | Electrical circuit with a nanostructure and method for producing a contact connection of a nanostructure |
| 371 | EP2689451 (A1) | 29.01.2014 | LEE SANGHYUN [US]; DUNGA MOHAN [US]; HIGASHITANI MASAAKI [US]; PHAM TUAN [US]; KREUPL FRANZ [US] | P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT |
| 370 | US 8624293 B2 | 07.01.2014 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US KREUPL FRANZ, US MIHNEA ANDREI, US XIAO LI, US | Carbon/tunneling-barrier/carbon diode |
| 369 | US2013234099 (A1) | 12.09.2013 | SEKAR DEEPAK C [US]; KREUPL FRANZ [US]; MAKALA RAGHUVEER S [US]; RABKIN PETER [US]; FU CHU-CHEN [US]; ZHANG TONG [US] | US2013234099 (A1) - NON-VOLATILE STORAGE WITH METAL OXIDE SWITCHING ELEMENT AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME |
| 368 | JP2013534724 (A) | 05.09.2013 | KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US] | Memory Cell With Resistance-Switching Layers |
| 367 | JP2013534723 (A) | 05.09.2013 | KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US] | Memory Cell With Resistance-Switching Layers |
| 366 | JP2013534722 (A) | 05.09.2013 | KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US] | Memory Cell With Resistance-Switching Layers |
| 365 | KR20130097139 (A) | 02.09.2013 | KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US | COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS |
| 364 | US2013221311(A1) | 29.08.2013 | SEKAR DEEPAK C [US]; KREUPL FRANZ [US]; MAKALA RAGHUVEER S [US]; RABKIN PETER [US] | TRAP PASSIVATION IN MEMORY CELL WITH METAL OXIDE SWITCHING ELEMENT |
| 363 | US 8520424 B2 | 27.08.2013 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US | Composition of memory cell with resistance-switching layers |
| 362 | US 8503229 B2 | 06.08.2013 | DUNGA MOHAN, US HIGASHITANI MASAAKI, US KREUPL FRANZ, DE LEE SANGHYUN, US PHAM TUAN, US | P-/Metal floating gate non-volatile storage element |
| 361 | US 8487292 B2 | 16.07.2013 | SEKAR DEEPAK C, US; KREUPL FRANZ, US | [EN] Resistance-switching memory cell with heavily doped metal oxide layer |
| 360 | US 8471360 B2 | 25.06.2013 | Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Ping; Er-Xuan (Fremont, CA), Zhang; Jingyan (Santa Clara, CA), Xu; Huiwen (Sunnyvale, CA) | MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 359 | CN000103168372A | 19.06.2013 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT CHEN YUNG-TIN FU CHU-CHEN JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI KAI JAMES KREUPL FRANZ MAKALA RAGHUVEER S RABKIN PETER SAMACHISA GEORGE ZHANG JINGYAN | [EN] Composition of memory cell with resistance-switching layers |
| 358 | JP2013524551 (A) | 17.06.2013 | KREUPL FRANZ [DE]; PING ER XUAN [US]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] | MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 357 | KR20130056860A | 30.05.2013 | KREUPL FRANZ [DE]; PING ER XUAN [US]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] | MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 356 | KR20130056205A | 29.05.2013 | KREUPL FRANZ [DE]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] | MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 355 | US2013126821A1 | 23.05.2013 | Sekar; Deepak Chandra; (San Jose, CA) ; Kreupl; Franz; (Munchen, DE) ; Makala; Raghuveer S.; (Sunnyvale, CA) | BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS |
| 354 | US000008435831B2 | 07.05.2013 | KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER, US RABKIN PETER, US SEKAR DEEPAK C, US | Non-volatile storage with metal oxide switching element and methods for fabricating the same |
| 353 | EP000002583322A2 | 24.04.2013 | KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US | [DE] SPEICHERZELLE MIT WIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN UND LATERIALER ANORDNUNG [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION ... |
| 352 | EP000002583323A2 | 24.04.2013 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US | [DE] ZUSAMMENSETZUNG EINER SPEICHERZELLE MIT WIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN [EN] COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION ... |
| 351 | EP000002583324A1 | 24.04.2013 | FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, US NIAN YIBO, US | [DE] SPEICHERZELLE MIT WIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN UND EINER DURCHBRUCHSCHICHT [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER [FR] CELLULE MÉMOIRE DOTÉE DE COUCHES À COMMUTATION ... |
| 350 | US000008420526B2 | 16.04.2013 | GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE SEIDL HARALD, DE | [EN] Vertical interconnect structure, memory device and associated production method |
| 349 | KR102013036279A | 11.04.2013 | KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US | [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT |
| 348 | KR102013036292A | 11.04.2013 | KREUPL FRANZ [US]; FU CHU CHEN [US]; NIAN YIBO [CN] | MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER |
| 347 | CN000103003971A | 27.03.2013 | FU CHU-CHEN KREUPL FRANZ NIAN YIBO | [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER |
| 346 | CN000102986048A | 20.03.2013 | KREUPL FRANZ SHRIVASTAVA RITU | [EN] Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement |
| 345 | US000008395926B2 | 12.03.2013 | KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US | Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement |
| 344 | US000008395927B2 | 12.03.2013 | FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YIBO, US | Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer |
| 343 | EP000002559068A1 | 20.02.2013 | KREUPL FRANZ, DE PING ER-XUAN, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US | [DE] SPEICHERZELLE MIT KOHLENSTOFFSCHALTMATERIAL MIT VERRINGERTEM QUERSCHNITTSBEREICH UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR [EN] MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL ... |
| 342 | CN000102939655A | 20.02.2013 | KREUPL FRANZ PING ER-XUAN XU HUIWEN ZHANG JINGYAN | [EN] Memory cell with carbon switching material having a reduced cross-sectional area and methods for forming the same |
| 341 | EP000002548238A1 | 23.01.2013 | KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US SEKAR DEEPAK CHANDRA, US | [DE] BODENELEKTRODEN ZUR VERWENDUNG MIT METALLOXIDWIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN [EN] BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS [FR] ÉLECTRODES INFÉRIEURES POUR UNE UTILISATION ... |
| 340 | EP000002548239A1 | 23.01.2013 | KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US SEKAR DEEPAK CHANDRA, US | [DE] BODENELEKTRODEN ZUR VERWENDUNG MIT METALLOXIDWIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN [EN] BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS [FR] ÉLECTRODES INFÉRIEURES POUR UNE UTILISATION ... |
| 339 | KR102013007572A | 18.01.2013 | KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN SEKAR DEEPAK CHANDRA, IN | BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS |
| 338 | KR102013007571A | 18.01.2013 | KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN SEKAR DEEPAK CHANDRA, IN | BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS |
| 337 | US000008354660B2 | 15.01.2013 | KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US SEKAR DEEPAK CHANDRA, US | [EN] Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers |
| 336 | CN000102870246A | 09.01.2013 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT KREUPL FRANZ LI XIAO MIHNEA ANDREI | [EN] Carbon/tunneling-barrier/carbon diode |
| 335 | EP000002539936A2 | 02.01.2013 | KREUPL FRANZ, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US | [DE] SPEICHERZELLE MIT SILIZIUMHALTIGER KOHLENSTOFFSCHALTSCHICHT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR [EN] MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER AND METHODS FOR FORMING THE SAME [FR] ... |
| 334 | US020120305873A1 | 06.12.2012 | GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE SEIDL HARALD, DE | [EN] VERTICAL INTERCONNECT STRUCTURE, MEMORY DEVICE AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD |
| 333 | US000008319259B2 | 27.11.2012 | KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE | [EN] Semiconductor power switch having nanowires |
| 332 | EP000002513994A2 | 24.10.2012 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US KREUPL FRANZ, US LI XIAO, US MIHNEA ANDREI, US | [DE] KOHLENSTOFF/TUNNELBARRIERE/KOHLENSTOFFDIODE [EN] CARBON/TUNNELING-BARRIER/CARBON DIODE [FR] DIODE CARBONE/BARRIÈRE-TUNNEL/CARBONE |
| 331 | EP000001706906B1 | 03.10.2012 | KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE | [DE] HALBLEITER-LEISTUNGSSCHALTER MIT NANODRÄHTEN SOWIE DAFÜR GEEIGNETES HERSTELLUNGSVERFAHREN [EN] POWER SEMICONDUCTOR SWITCH HAVING NANOWIRES AND SUITABLE PRODUCTION METHOD THEREFOR [FR] COMMUTATEUR ... |
| 330 | TW000201240022A | 01.10.2012 | DUNGA MOHAN, IN HIGASHITANI MASAAKI, JP KREUPL FRANZ, DE LEE SANG-HYUN, KR PHAM TUAN, US | [EN] P-/metal floating gate non-volatile storage element |
| 329 | WO002012129032A1 | 27.09.2012 | DUNGA MOHAN, US HIGASHITANI MASAAKI, US KREUPL FRANZ, DE LEE SANGHYUN, US PHAM TUAN, US | [EN] P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT [FR] ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE À GRILLE FLOTTANTE DU TYPE P-/MÉTAL |
| 328 | US020120243337A1 | 27.09.2012 | DUNGA MOHAN, US HIGASHITANI MASAAKI, US KREUPL FRANZ, DE LEE SANGHYUN, US PHAM TUAN, US | [EN] P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT |
| 327 | US000008254166B2 | 28.08.2012 | GRUENING-VON SCHWERIN ULRIKE, DE KLOSTERMAN ULRICH, DE KREUPL FRANZ, DE | [EN] Integrated circuit including doped semiconductor line having conductive cladding |
| 326 | WO002011159582A4 | 23.08.2012 | KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US | [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE ET DISPOSITION LATÉRALE |
| 325 | US000008237146B2 | 07.08.2012 | KREUPL FRANZ, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US | [EN] Memory cell with silicon-containing carbon switching layer and methods for forming the same |
| 324 | WO002011159583A4 | 02.08.2012 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US | [EN] COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE |
| 323 | US000008216639B2 | 10.07.2012 | DUESBERG GEORG, DE KREUPL FRANZ, DE LIEBAU MAIK, DE UNGER EUGEN, DE | [EN] Methods for elimination or reduction of oxide and/or soot deposition in carbon containing layers |
| 322 | US000008216862B2 | 10.07.2012 | KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US | [EN] Forming and training processes for resistance-change memory cell |
| 321 | WO002011159582A3 | 05.07.2012 | KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US | [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE ET DISPOSITION LATÉRALE |
| 320 | WO002011159583A3 | 14.06.2012 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US | [EN] COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE |
| 319 | WO002011159581A3 | 19.04.2012 | COSTA XIYING, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US | [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE |
| 318 | US020120091418A1 | 19.04.2012 | CHEN YUNG-TIN, US HOU KUN, US KREUPL FRANZ, US MAXWELL STEVEN, US | [EN] BIPOLAR STORAGE ELEMENTS FOR USE IN MEMORY CELLS AND METHODS OF FORMING THE SAME |
| 317 | WO002011159584A4 | 22.03.2012 | FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, US NIAN YIBO, US | [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER [FR] CELLULE MÉMOIRE DOTÉE DE COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE COMPRENANT UNE COUCHE DE CLAQUAGE |
| 316 | TW000201212317A | 16.03.2012 | COSTA XIYING, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN | [EN] Memory cell with resistance-switching layers |
| 315 | TW000201212318A | 16.03.2012 | KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US | [EN] Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement |
| 314 | TW000201212319A | 16.03.2012 | BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US | [EN] Composition of memory cell with resistance-switching layers |
| 313 | TW000201209824A | 01.03.2012 | FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YI-BO, CN | [EN] Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer |
| 312 | EP000001800360B1 | 22.02.2012 | DUESBERG GEORG, DE KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE STEINLESBERGER GERNOT, DE | [DE] ELEKTRISCHER SCHALTKREIS MIT EINER NANOSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER KONTAKTIERUNG EINER NANOSTRUKTUR [EN] ELECTRICAL CIRCUIT WITH A NANOSTRUCTURE AND METHOD FOR CONTACTING A NANOSTRUCTURE ... |
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| 129 | EP000001556908A2 | 27.07.2005 | GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, DE SPECHT MICHAEL, DE | [DE] FELDEFFEKTTRANSISTOR-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR ASSEMBLY AND AN INTEGRATED CIRCUIT ARRAY [FR] ENSEMBLE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET RESEAU DE CIRCUITS DE COMMUTATION |
| 128 | EP000001556909A1 | 27.07.2005 | GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, US SPECHT MICHAEL, DE | [DE] VERTIKAL INTEGRIERTES BAUELEMENT, BAUELEMENT-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERTIKAL INTEGRIERTEN BAUELEMENTS [EN] VERTICAL INTEGRATED COMPONENT, COMPONENT ARRANGEMENT AND METHOD FOR ... |
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| 126 | WO002005067075A1 | 21.07.2005 | KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE | [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTORS, NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT SURROUNDED GATE STRUKTUR [EN] METHOD FOR THE PRODUCTION A NANOELEMENT FIELD EFFECT TRANSISTOR, ... |
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| 124 | DE000010359889A1 | 14.07.2005 | KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE SPECHT MICHAEL, DE STEINLESBERGER GERNOT, DE | [DE] Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzelle, Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzellen-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzelle [EN] Bridge field effect transistor ... |
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| 1 | DE000019860084A1 | 06.07.2000 | Engelhardt, Manfred, Dr., 83620 Feldkirchen-Westerham, DE Hartner, Walter, 81829 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Schiele, Manuela, 85625 Glonn, DE Sänger, Annette, Dr., 81667 München, DE Weinrich, Volker, Dr., 81373 München, DE | [DE] Verfahren zum Strukturieren eines Substrats |